Kingston DDR4 16GB 2666 CL19 SO-DIMM

Katalog

Nejčastěji hledané

WD Elements Portable 2TB, Black

2 167 Kč 2 354 Kč
Tefal GC722D Optigrill+ XL

3 878 Kč 5 990 Kč
WD Elements Portable 5TB

3 171 Kč 4 185 Kč
Maxxo VM Profi

2 079 Kč 2 599 Kč
WD Elements Portable 4TB

2 790 Kč 3 727 Kč
iRobot Roomba i7 (i7158)

12 297 Kč 13 999 Kč

Oblíbené kategorie

0 Kč

KATALOG

VÝPRODEJ

Kingston DDR4 16GB 2666 CL19 SO-DIMM

Značka: Kingston Technology

(4.3 z 5) 1 Hodnocení

Dostupnost skladem

AKTUÁLNÍ AKČNÍ CENA
1 037 Kč
včetně DPH 21%

AKCE KONČÍ ZA

HODIN

MINUT

SEKUND

857 Kč bez DPH

paměťový modul DDR4 • Komponent pro: Laptop • Vnitřní paměť: 16 GB • Rozložení paměti (moduly x velikost): 1 x 16 GB • Typ vnitřní paměti: DDR4 • Frekvence paměti: 2666 MHz • Formát paměti: 260-pin SO-DIMM • CAS latence: 17 •

Produktový kód: KCP426SD8/16

Záruka: 10 let

Každý dnešní zákazník může vyhrát iPHONE

Jste jen krůček od výhry! Každou dnešní objednávku automaticky zařazujeme do slosování o luxusní telefon iPHONE 15 - zcela zdarma!
Je to jednoduché, stačí pouze ještě dnes odeslat objednávku.
Losujeme v pondělí, výherce vzápětí kontaktujeme.
Více info >>

Popis
Specifikace
Příslušenství (4)

Firma Kingston vždy patřila a stále patří mezi přední výrobce a dodavatele paměťových modulů. Díky jejich vysoké kvalitě a spolehlivosti je ve svých modelových řadách používá i mnoho známých výrobců počítačů a jsou používány při testování nových základních desek, grafických karet apod. Ta vám nyní přináší operační paměť SO-DIMM pro notebooky.

Malý formát SO-DIMM pro notebooky
Nízké pracovní napětí
Vysoká frekvence

Jedná se o operační paměť typu DDR4 s frekvencí 2666 MHz a kapacitou 16 GB, určenou pro notebooky. Její časování je CL19 a pracovní napětí 1,2 V.

Technická specifikace

Vlastnosti
Typ vyrovnávací paměti	Unregistered (unbuffered)
Vnitřní paměť	16 GB
Rozložení paměti (moduly x velikost)	1 x 16 GB
Typ vnitřní paměti	DDR4
Frekvence paměti	2666 MHz
Komponent pro	Notebook
Formát paměti	260-pin SO-DIMM
ECC
CAS latence	17
Rank paměti	2
Napětí paměti	1.2 V